基于SOI的高Q微环谐振腔的研究

• 作者: 乐燕思 吴重庆 李强 李智勇 王智 郭凯丽
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 集成光学 微环谐振腔 时域有限差分法 波导损耗 品质因子
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 487-491
• 分类号: TN252
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.007

摘要

利用时域有限差分法,对基于绝缘体上硅(SOD的微环谐振腔的微环波导宽度对传输性能、Q值的影响进行了理论分析与仿真.研究结果表明,单模条件下,波导越宽,Q值越大.仿真优化结果表明微环半径为10μm、微环波导宽度为600 nm时,1.55 μm附近的谐振峰的消光比为18.2 dB,计算出Q值约为2.2×105.进一步研究了微环与直波导间距、平板高度对Q值的影响.耦合间距增大时,由于耦合效率降低,Q值则逐渐提高;随着平板区厚度的减小,辐射损耗会越小,因此Q值增大.研究结果为微环谐振腔的进一步优化和设计提供了参考.