世纪金光成功在SiC衬底上长出直径3英寸石墨烯

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: SIC 石墨 衬底 直径 金 二维材料 光半导体 生长方法
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（5）
• 页码范围: 19-19
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.24

摘要

日前，北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果，首次利用SiC外延生长方法，在3英寸SiC衬底上制成石墨烯二维材料，为实现晶圆级石墨烯商业化规模生产奠定了重要基础!