采用双振荡器结构的低功耗CMOS温度传感器

• 作者: 彭华 王用鑫
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 温度传感器 双振荡器 制程补偿 低功耗
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 1449-1455
• 页数: 7页
• 分类号: TP212.11
• 字数: 3332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.06.033

摘要

为提高温度传感器的能量转换效率并降低功耗,提出了一种基于双振荡器的CMOS温度传感器.提出的温度传感器利用两个环形振荡器生成随温度变化的频率,通过调整线性频率的差斜率,来提高温度传感器的线性度,最后使用一个频率数字转换器完成数字输出.此外,还提出了一个制程补偿方案,经过一点校正法后可提高温度传感器的精确度.采用65 nm CMOS工艺进行了实现,面积仅为0.01 mm2.测试结果显示,校正后提出温度传感器的分辨率为0.2℃/LSB,并且在0~125℃的温度范围内,20个实测样品的最大误差小于±1.2℃.相比其他类似传感器,当转换率高达480 ksample/s时,功率消耗500μW,即每次转换的能量最小,仅为0.001μJ/sample.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王用鑫	重庆电子工程职业学院应用电子学院	26	40	3.0	5.0
2	彭华	重庆电子工程职业学院应用电子学院	16	65	3.0	7.0