3 A/40 V新型肖特基势垒二极管的设计与研制

• 作者: 王富强 瞿宜斌 马行空
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒 结隔离 保护环 击穿电压
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 134-136
• 页数: 3页
• 分类号: TN311+.8
• 字数: 1534字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2016.03.034

摘要

为提高传统肖特基二极管的击穿电压,减小了器件的漏电流,提高芯片利用率,文中设计研制了适合于裸片封装的新型肖特基势垒二极管(SBD).利用Silvaco Tcad软件模拟,在器件之间采用PN结隔离,器件周围设计了离子注入形成的保护环,实现了在浓度和厚度分别为7.5×1012 cm-3和5 μm的外延层上,制作出了反向击穿电压45 V和正向导通压降0.45 V的3A/45 V肖特基二极管,实验和仿真结果基本吻合.此外,还开发了改进SBD结构、提高其电特性的工艺流程.