X射线条纹相机CsI光阴极的高能电子份额

• 作者: 宗方轲 李翔 杨勤劳 顾礼
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: CsI光阴极 惯性约束聚变 蒙特卡罗模型 X射线条纹相机 高能电子
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 光电技术应用
• 页码范围: 899-901,905
• 分类号: O434.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.06.030

摘要

为了得到X射线条纹相机中CsI光阴极的高能电子份额数据,通过蒙特卡罗方法建立模型来研究CsI光阴极在X射线照射下的光电发射特性.研究了CsI光阴极厚度为100～1 000 nm、入射X射线能量为1～30 keV时的二次电子(SE)能量分布.模拟结果显示,入射X射线的能量越高、CsI光阴极的厚度越大,从CsI光阴极出射的二次电子中高能电子(大于50 eV)的份额越高,在入射X射线能量为30 keV、CsI光阴极厚度为1 000 nm时,出射电子中的高能电子份额可以达到10.8％.但是当CsI光阴极厚度保持为100 nm、而入射X射线能量大于15 keV时,高能电子份额维持在3.4％左右而不再随入射X射线的能量增加而增加.