辐照条件下SiC晶界导热性能的分子动力学分析

• 作者: 王庆宇 王成龙
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学 SiC 晶界 热导 辐照损伤
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 127-130,149
• 分类号: TB303
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2016.01.025

摘要

SiC材料由于具有优良的物理化学性质而在工程领域得到广泛应用.但在辐照条件下,Frenkel缺陷势必影响材料的宏观性质.尤其在核能工程领域,辐照无法避免,而传热性质是材料的关键性质之一.本文采用分子动力学方法模拟了SiC材料晶界导热性质在辐照缺陷存在条件下的变化规律.研究结果表明,晶界扭转角度越大,界面能也越大,并且界面热阻大致与界面能呈正比关系.辐照缺陷的存在使界面热阻增加了一个数量级.声子态密度分析结果表明,界面附近原子晶格失配程度增加是导致辐照后界面热阻进一步增加的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王成龙	哈尔滨工程大学核科学与技术学院核安全与仿真技术国防重点学科实验室	8	80	5.0	8.0
2	王庆宇	哈尔滨工程大学核科学与技术学院核安全与仿真技术国防重点学科实验室	12	40	3.0	6.0