SiNx减反射层对组件抗PID能力影响

• 作者: 刘平 卢玉荣 张剑锋 梁吉连 王仕鹏 陆川 黄海燕
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: SiNx 减反射层 NH3/SiH4流量比 PID现象
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 技术产品与工程
• 页码范围: 39-41,19
• 页数: 4页
• 字数: 1894字
• 语种: 中文

摘要

利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiNx:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺.实验结果表明,当折射率＜2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率＞2.16时,抗PID效果显著;即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果,控制SiNx膜电池片的折射率为2.16±0.02;即淀积1的较佳流量比NH3/SiH4为4.83,淀积2的较佳流量比NH3/SiH4为13.33,在此配比下电池片外观正常,电性能稳定性较好,同时组件抗PID测试300 h后衰减＜5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王仕鹏		24	37	4.0	5.0
2	黄海燕		23	39	4.0	5.0
3	陆川		27	46	4.0	5.0
4	梁吉连		9	10	2.0	2.0
5	卢玉荣		4	12	2.0	3.0
6	刘平		1	2	1.0	1.0
7	张剑锋		1	2	1.0	1.0