5G基站射频市场：LDMOS开始下滑、GaN快速增长

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 市场份额 射频 基站 GAN 工程师 大功率 元件
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（5）
• 页码范围: 30-31
• 页数: 2页
• 分类号: TN432

摘要

2016年8月29日，每年一次循例来为华为RF工程师讲课的Qorvo高级Fellow Bill Boesch在深圳接受了专访，他说：“4G、5G基站大功率射频（RF）元件市场正在发生变革，原有的占主导地位的LDMOS元件虽有成本较低的优势，但市场份额正在出现下滑态势，