中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响

• 作者: 刘青明 卢太平 周小润 尚林 朱亚丹 董海亮 赵广洲 赵晨 韩丹
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 LED V形坑 空穴注入效率
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 829-835
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1|TN364+.2
• 字数: 3479字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163707.0829

摘要

利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响.利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌.当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70～110 nm增加至110 ～ 150 nm.当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW.对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明:增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率.