BaTiO3复合硅胶对IGBT模块内部电场分布的影响

• 作者: 刘曜宁 王昭
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT模块 硅胶 BaTiO3 有限元分析 电场模拟 局部放电
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.92
• 字数: 2831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.12.015

摘要

分析了IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)高压功率模块的内部电场绝缘问题.模块封装中使用的硅胶的电场承受能力直接影响了整个模块的绝缘表现,通过使用有限元分析方法,分析和确定了模块中最大电场存在的位置.结果表明,影响局部放电最关键的部分就是被硅胶覆盖的覆铜陶瓷基板,高的局部放电效应会使得硅胶绝缘失效,最终导致IGBT模块失效;最后提出了优化解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王昭		6	10	1.0	3.0
2	刘曜宁		2	1	1.0	1.0