石墨烯应用于GaN基材料的研究进展

• 作者: 徐昌一
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 石墨烯 GaN材料 石墨烯GaN接触
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 778-785
• 页数: 8页
• 分类号: O484
• 字数: 4640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163707.0778

摘要

石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为“继硅之后最重要的半导体材料”.将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合,发挥两种材料体系的优势,将为光电子、微电子器件的发展带来新的契机.关于石墨烯与GaN基材料相结合的研究目前已经有所突破,本文简要概述了近年来石墨烯与GaN基材料接触机理方面和石墨烯应用于GaN基材料器件方面的进展状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐昌一	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	3	1.0	1.0