InGaAsP/InP量子阱中电子-电子散射率研究

• 作者: 李正 王海龙 陈丽 陈莎
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱 电子 费米黄金法则 散射率
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 电子技术研发
• 页码范围: 4-7,3
• 页数: 5页
• 字数: 3414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2016.09.002

摘要

在有效质量近似下，利用打靶法和费米黄金法则计算出In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明，In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中电子-电子的散射率随电子初态能的增大而降低，电子-电子的平均散射率随As组分和子带能级差的增大而降低，随Ga组分、阱宽和载流子浓度的增大而升高。当电子温度较低时，散射率和平均散射率随电子温度的降低而降低，当电子温度较高时，散射率和平均散射率会随着电子温度的升高而缓慢降低。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海龙	曲阜师范大学物理工程学院	35	123	6.0	9.0
2	李正	曲阜师范大学物理工程学院	5	1	1.0	1.0
3	陈丽	曲阜师范大学物理工程学院	5	7	1.0	2.0
4	陈莎	曲阜师范大学物理工程学院	3	1	1.0	1.0