电子辐照GaN基LED的缺陷光学性能研究

• 作者: 于莉媛 刘超 吴英蕾 朱文睿 杨洁 牛萍娟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理计算 电子辐照 GaN 缺陷 光学性能
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 798-803
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163707.0798

摘要

采用基于第一性原理计算的平面波超软赝势方法,计算电子辐照后由简单缺陷引起的GaN外延材料的光学性能变化.首先计算出本征GaN晶体的性质作为研究缺陷性质变化的参照,着重分析了VN、VGa、GaN、MgGa、MgGa-ON、MgGa-VN、VGa-ON等缺陷对光吸收谱的影响.由于InGaN多量子阱是主要的LED发光来源,还对不同In摩尔分数掺杂下的GaN进行了光学性质研究.结果表明:VN、GaN和In掺杂等缺陷使GaN主吸收峰出现红移且吸收系数均降低;而VGa、MgGa、MgGa-ON、VGa-ON均使GaN的主吸收峰出现蓝移,只是MgGa缺陷使主吸收峰峰值增加,其余缺陷均使主峰吸收系数降低;MgGa-VN仅仅减小了主峰峰值,并未改变光子吸收波长.研究结果表明,电子辐照后的缺陷会使材料性能发生变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学电子与信息工程学院	123	617	13.0	17.0
5	刘超	天津工业大学电子与信息工程学院	16	44	4.0	6.0
6	于莉媛	天津工业大学电子与信息工程学院	20	63	5.0	7.0
10	吴英蕾	天津工业大学电子与信息工程学院	2	3	1.0	1.0
11	朱文睿	天津工业大学电子与信息工程学院	2	3	1.0	1.0
12	杨洁	天津工业大学电子与信息工程学院	5	6	2.0	2.0