一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析

• 作者: 吕玉冰 李立 杨洪 白雪平 翁雪涛
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 内线转移CCD 弥散特性 横向抗晕 数值模拟
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 788-791
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.06.006

摘要

运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析.结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450～550 keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200～600 keV,剂量控制在4.0×1012～8.0×1012 cm-2,器件弥散特性最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洪		6	8	2.0	2.0
2	翁雪涛		10	10	2.0	2.0
3	李立		6	2	1.0	1.0
4	白雪平		4	0	0.0	0.0
5	吕玉冰		10	8	2.0	2.0