GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响

• 作者: 余春燕 张华 户芳 梅伏洪 许并社
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO纳米棒 水热法 GaN衬底 光学性能
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 946-950,955
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3944字
• 语种: 中文

摘要

本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al2 O3和p-GaN/Al2O3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列.利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al2 O3和p-GaN/Al2O3衬底对ZnO纳米棒生长的影响.结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构.在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这可能是由于p-GaN界面比较粗糙,界面能量较大,为ZnO的生长提供了更多的形核区域;与生长在u-GaN上的ZnO纳米棒阵列相比,p-GaN上所沉积的ZnO纳米棒在378.3 nm处有一个较强的近带边发射峰,且峰强比较大,说明在p-GaN上所制备的ZnO纳米棒的晶体质量和光学性能更好.