利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化

• 作者: 刘晶晶 姚尧 肖少庆 顾晓峰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结太阳电池 透明导电氧化物薄膜 AFORS-HET 功函数
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 935-940
• 页数: 6页
• 分类号: TN36
• 字数: 2512字
• 语种: 中文

摘要

运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶ H(n)/a-Si∶ H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律.结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020 cm-3,晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×1016 cm3,以ZnO为TCO层且ZnO的功函数低于4.4 eV时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18％.