毫米波化合物半导体材料研究进展

• 作者: 张超 时翔
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 毫米波集成电路 化合物半导体 综述 砷化镓 磷化铟 氮化镓
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TN015
• 字数: 2842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.12.003

摘要

毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点.本文对以砷化镓、磷化锢、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张超		9	13	2.0	3.0
2	时翔		20	22	3.0	4.0