3D石墨烯修饰的猛杀威分子印迹电化学传感器的制备

• 作者: 严军 冯德芬 吴叶宇 张慧 李晓宇 谭学才 金应鑫 陈全友 陈晓
• 来源期刊: 分析化学
• 关键词: 猛杀威 三维石墨烯 分子印迹电化学传感器
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1834-1839
• 页数: 6页
• 字数: 5031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11895/j.issn.0253-3820.160366

摘要

以猛杀威为模板分子、丙烯酰胺( AM)为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯( EGMRA)为交联剂、自制的3D石墨烯(3D-rGO)为增敏材料,在玻碳电极表面合成分子印迹聚合物,制备检测猛杀威的分子印迹电化学传感器。运用扫描电镜(SEM)对自制3D石墨烯的形貌进行了表征,通过循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)和交流阻抗法(EIS)对猛杀威传感器的性能进行了研究。结果表明,猛杀威的浓度在8.0×10-8~8.0×10-6 mol/L范围内与响应电流值呈良好的线性关系,线性相关系数R=0.9954,检出限为7.3×10-8 mol/L (S/N=3),猛杀威分子印迹敏感膜的印迹因子β=3.88,且相对于3种结构类似物的选择因子α垌1,说明此传感器具有良好的选择性。将此传感器应用于生菜样品检测,加标回收率在96.7%~98.7%之间。