光照区域结构参数对硅光电晶体管性能的影响

• 作者: 吴元庆 吴志颖 周涛 路春希
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电晶体管 减反射膜 电阻率 少子寿命 掺杂浓度 光谱响应度
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 112-118
• 页数: 7页
• 分类号: TK514
• 字数: 5347字
• 语种: 中文

摘要

利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件,全面系统地分析了光照区域结构参数对硅NPN型红外光电晶体管光电转换特性的影响.仿真结果表明:厚度为240 nm/130 nm的SiO2/Si3 N4双层减反射膜在特征波长(λ =0.88μm)处具有最优的光吸收效果和峰值光响应度(RM);为满足器件对红外波段的有效吸收和响应,外延层厚度应选择为55 ～ 60 μm;提高外延层电阻率虽可增大集-射击穿电压(BVCEO),但较高的外延层电阻率同时会降低红外波段光谱响应度;为了获得较高的红外光谱响应度,同时抑制可见光波段的响应,光照区域基区表面浓度应选择为5×1019 cm-3,结深应选择为2.5μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志颖	渤海大学新能源学院	24	70	4.0	7.0
2	周涛	渤海大学新能源学院	59	88	4.0	6.0
3	吴元庆	渤海大学新能源学院	48	41	3.0	4.0
4	路春希	渤海大学新能源学院	2	2	1.0	1.0