P型Si80Ge20B0.6-SiC纳米复合材料的微观结构与热电性能研究

• 作者: 任都迪 吴洁华 张天松 杨小燕 陈立东
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗合金 SiC纳米颗粒 热电材料 纳米复合 纳米结构
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 997-1003
• 页数: 7页
• 分类号: TQ174
• 字数: 866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160060

摘要

采用感应熔炼、球磨与放电等离子烧结的方法制备了SiC第二相均匀分布的Si80Ge20B0.6-SiC纳米复合热电材料.系统研究了细化Si80Ge20B0.6晶粒尺寸与复合SiC纳米颗粒对材料热电性能的影响.球磨导致的Si80Ge20B0.6晶粒尺寸的降低显著增加了材料的晶界数量,进而增强了晶界对中长波声子的散射,能够有效降低材料的晶格热导.Si80Ge20B0.6基体中均匀分布的纳米SiC颗粒提供了额外的散射中心和界面,可进一步增强声子散射,降低材料的晶格热导.在纳米结构化与SiC纳米复合的共同作用下,材料在1000 K时热电优值ZT达到了0.62,较基体提高了17％.证明纳米结构化与纳米复合方法能够共同作用于硅锗合金,提高其热电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈立东	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	54	435	11.0	19.0
2	任都迪	中国科学院上海硅酸盐研究所能量转换材料重点实验室	3	15	2.0	3.0
3	吴洁华	中国科学院上海硅酸盐研究所能量转换材料重点实验室	11	129	5.0	11.0
4	杨小燕	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	3	14	2.0	3.0
8	张天松	中国科学院上海硅酸盐研究所能量转换材料重点实验室	1	4	1.0	1.0