像素分割对LED电流密度及光照度分布的影响

• 作者: 包兴臻 吕金光 梁中翥 梁静秋 王维彪 秦余欣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED阵列 电流密度 芯片尺寸 芯片间距 光照度
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1399-1407
• 页数: 9页
• 分类号: TN383+.1|O439
• 字数: 3758字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163711.1399

摘要

将300μm ×300μm LED芯片阵列化为间隔为20μm的3×3个80μm ×80μm的子单元,阵列化后,总饱和光输出功率是未阵列化前的5.19倍,最大注入电流提高近7倍,表明阵列可以注入更大的电流和输出更高的饱和光功率。此外,采用多颗阵列化后的LED芯片形成的芯片组照明,得知芯片组间距为最大平坦条件dmax时,接收面上照度均匀性最佳；芯片组数越多,接收面上均匀照度的面积越大。同时,9颗300μm ×300μm的芯片阵列化为9个80μm ×80μm LED芯片后,以dmax排列照明相对于9颗未阵列化的300μm ×300μm芯片以dmax排列照明时,接收面上的光照度均匀性不变,照度值提高了3倍。