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Novel high voltage RESURF Al GaN/GaN HEMT with charged buffer layer
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摘要：
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关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Novel high voltage RESURF Al GaN/GaN HEMT with charged buffer layer | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | AlGaN/GaN HEMT器件 RESURF 氮化镓 缓冲层 高电子迁移率晶体管 高压 铝 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2016,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 138-147 | |
| 页数 | 10页 | 分类号 | TN386 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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AlGaN/GaN HEMT器件 RESURF 氮化镓 缓冲层 高电子迁移率晶体管 高压 铝
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