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Single event upset induced by single event double transient and its well-structure dependency in 65-nm bulk CMOS technology
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摘要：
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65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究
多位翻转
静态随机存储器
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文献信息
| 篇名 | Single event upset induced by single event double transient and its well-structure dependency in 65-nm bulk CMOS technology | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | CMOS技术 单事件 结构 瞬态 单粒子翻转 节点电荷 纳米 时钟信号 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2016,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 148-155 | |
| 页数 | 8页 | 分类号 | TP311.13 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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CMOS技术 单事件 结构 瞬态 单粒子翻转 节点电荷 纳米 时钟信号
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