大尺寸高质量GaSb单晶研究

• 作者: 张志鹏 张颖武 徐永宽 李璐杰 程红娟 练小正
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaSb 垂直布里奇曼法 位错密度 覆盖剂
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 901-905
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2738字
• 语种: 中文

摘要

采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm-2;同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27 arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm2/V·s,载流子浓度达到了1.68×1017cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李璐杰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	4	2.0	2.0
2	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
3	张颖武	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	16	2.0	3.0
4	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0
5	练小正	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	9	1.0	2.0
6	张志鹏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0