篇名 | Structure-dependent behaviors of diode-triggered silicon controlled rectifier under electrostatic discharge stress | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | electrostatic discharge (ESD) diode-triggered silicon controlled rectifier (DTSCR) transmission-line-pulsing (TLP) mathematical modeling | ||
年,卷(期) | 2016,(12) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 507-513 | |
页数 | 7页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/25/12/128501 |