一种新型的SOI MOSFET衬底模型提取方法

• 作者: 刘军 周文勇 汪洁
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: RFSOIMOSFET 衬底模型 测试结构 参数提取
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1302-1308
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.06.005

摘要

衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响.考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响.提出一种改进的测试结构,通过把SOI MOSFET的漏和源短接为信号输出端、栅为信号输入端,测试栅、漏/源短接二端口S参数的方法,把衬底寄生在二端口S参数中直接体现出来,并开发出一种解析提取衬底网络模型参数的方法,支持SOI MOSFET衬底网络模型的精确建立.采用该方法对一组不同栅指数目的SOI MOSFET进行建模,测量和模型仿真所得S参数在20 GHz频段范围内得到很好吻合.