低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响

• 作者: 余春燕 尚林 廖建华 李天保 许并社 贾伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 形核速率 形核层 GaN 金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 880-885
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4612字
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机化学气相沉积方法系统研究了在蓝宝石衬底上低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光光谱和Hall测试仪表征材料的位错密度、表面形貌以及光、电学性能.研究结果表明随着形核速率的增加,GaN形核层更倾向于三维生长模式;当形核速率达到1.92(A)/s时退火后生成尺寸为100 nm宽、32 nm高的均匀形核岛,随后生长的未掺杂GaN外延薄膜层的螺型和刃型位错密度以及黄带峰强度达到最小值,并且其具有最高的载流子迁移率和最低的载流子浓度.