衬底温度对氢离子束辅助磁控溅射制备a-Si∶H薄膜结构特性的影响

• 作者: 丁明 桑安琪 王辉 程薇 葛天宇 谭永贞 陈珍明 高敏 黄俊俊
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束辅助溅射 非晶硅薄膜 结构性能 衬底温度
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1368-1372
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.12.01

摘要

利用氢离子束辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si∶ H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构特性影响规律.结果表明在合适的衬底温度下氢离子束辅助磁控溅射制备的a-Si∶H薄膜具有较好短程有序度和中程有序度;当衬底温度为200℃时,薄膜的结构特性最优,a-Si∶H薄膜的次带吸收系数为0.46 cm-1、氢含量为10.36％(原子比)、微结构因子为0.68和光学带隙为1.94 eV.