质子辐照对场板AlGaN／GaN HEMT器件电特性的影响

• 作者: 全思 刘盼芝 张林 徐小波 杨丽媛 杨鑫 谷文萍
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaNHEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1445-1449
• 页数: 5页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 3744字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027

摘要

分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件进行辐照。实验发现：低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加，高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降，跨导减小，阈值电压显著退化的结果。通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因。此外基于实验结果，采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律，仿真结果与实验结果有较好的一致性。本文实验结果也表明场板结构和SiN钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中，屏蔽了绝大部分的辐照损伤，是很有效的辐射加固手段。