基于聚乙烯咔唑的非挥发型阻变存储特性分析

• 作者: 孙艳梅 宋志章
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 聚乙烯咔唑 阻变特性 开关态电流比 耐久特性
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1043-1047
• 页数: 5页
• 分类号: TP211.5
• 字数: 1944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.05.005

摘要

采用聚乙烯咔唑作为活性层构建了ITO/PVK/Al的三明治结构阻变存储元件，并对其阻变特性进行了测量。结果表明其具有明显的非挥发型双稳态阻变特性，具有WORM存储特性。该元件具有良好的数据保持能力和耐久能力，开关态电流比可达103，且具有较低的阈值转换电压。分别对低阻态和高阻态的载流子传输机制进行了拟合，低阻态为欧姆传导机制，高阻态为空间电荷限制电流发射机制。根据载流子传输机制，对阻变特性进行了解释。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙艳梅	齐齐哈尔大学通信与电子工程学院	19	95	5.0	9.0
3	宋志章	齐齐哈尔大学校办公室	31	74	5.0	6.0