二次电子分布函数对绝缘壁面稳态鞘层特性的影响?

• 作者: 卿绍伟 周芮 李梅 李梦杰 王磊
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 鞘层 二次电子分布函数 Monte Carlo模拟
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 035202-1-035202-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.035202

摘要

由于缺乏详细的理论计算和实验结果，在研究绝缘壁面稳态流体鞘层特性时，通常假设壁面出射的总二次电子服从单能分布(>0)、半Maxwellian分布等。在单能电子轰击壁面的详细二次电子发射模型基础上，采用Monte Carlo方法统计发现：当入射电子服从Maxwellian分布时，绝缘壁面发射的总二次电子服从三温Maxwellian分布。进而，采用一维稳态流体鞘层模型进行对比研究，结果表明：二次电子分布函数对鞘边离子能量、壁面电势、电势及电子/离子密度分布等均具有明显影响；总二次电子服从三温Maxwellian分布时，临界空间电荷饱和鞘层无解，表明随着壁面总二次电子发射系数的增加，鞘层直接从经典鞘层结构过渡到反鞘层结构。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	重庆大学动力工程学院	57	771	14.0	26.0
2	卿绍伟	重庆大学动力工程学院	6	18	2.0	4.0
3	李梅	重庆大学动力工程学院	3	1	1.0	1.0
4	李梦杰	重庆大学动力工程学院	1	0	0.0	0.0
5	周芮	重庆大学动力工程学院	1	0	0.0	0.0