Zn缺位对Ba(Co0.6Zn0.4)1/3Nb2/3O3陶瓷性能的影响

• 作者: 周晓华 孙成礼 张树人 张玉芹 杨新石
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 微波介质陶瓷 BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(BCZN) Zn缺位 Ba8CoNb6O24
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 130-133
• 页数: 4页
• 分类号: TN384|TM28
• 字数: 2447字
• 语种: 中文

摘要

采用传统固相反应法制备了Ba (Co0.58Y0.02Zn0.4-x)1/3Nb2/3O3 (x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.06)陶瓷,系统研究了Zn缺位对陶瓷的物相组成、微观结构和微波介电性能的影响.X线衍射(XRD)结果表明所有配方陶瓷的主晶相均为BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9 (BCZN),并存在不同量的第二相Ba8CoNb6O24,适量的Zn缺位可提高BCZN体系的有序度,x=0.02时,其有序度最大.电镜扫描(SEM)结果表明适量的Zn缺位可促进烧结致密化,但Zn缺位过多,会使第二相增多,陶瓷的致密度恶化.随着x的增加,陶瓷的介电常数(εr)基本不变,但品质因数与频率的乘积(Q×f)得到了有效的改善,谐振频率温度系数(τf)先减小后增大.当x=0.02时,BCZN体系陶瓷的εr=35.12,Q×f=52 678 GHz,τf=3.28×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	187	1176	16.0	24.0
2	周晓华	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	70	468	11.0	17.0
3	张玉芹	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	杨新石	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	孙成礼	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	8	13	2.0	3.0