两级微型逆变器GaN DC/DC电路软开关特性和损耗分析

• 作者: 张雅静 李艳 郑琼林
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微型逆变器 两级 GaN FET 高增益 正反激
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 32-39
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 字数: 3617字
• 语种: 中文

摘要

采用GaN FET正反激高增益DC/DC电路以实现微型逆变器高效率、高升压比、减小变压器体积的目标.首先介绍GaN FET器件的结构及其特性;其次分析正反激高增益DC/DC电路的工作原理及其软开关特性,并给出该拓扑理论损耗分析;最后搭建200WGaN FET正反激高增益DC/DC电路的仿真及实验验证,理论和实验结果证明该拓扑适用于高效率的微型逆变器前级变换器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑琼林	北京交通大学电气工程学院	196	3061	32.0	50.0
2	李艳	北京交通大学电气工程学院	53	250	9.0	14.0
3	张雅静	北京交通大学电气工程学院	8	153	5.0	8.0