多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究

• 作者: 丁召 刘健 周海月 王一 王继红 罗子江 赵振 郎效智 郭祥
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 扫描隧道显微镜 表面张力 分子束外延
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 1413-1417
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.12.12

摘要

通过分子束外延生长方法,在GaAs(001)衬底上制备生长12周期,16周期,20周期的InGaAs/GaAs量子点,分析了多周期生长的InGaAs/GaAs量子点在16周期下出现较好分布的机理.以及在生长16周期的InGaAs/GaAs量子点下,分析了未退火和退火的初始表面对于量子点分布的影响,未退火处理的衬底生长的InGaAs/GaAs量子点分布更加均匀且有序,量子链延伸得更长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州财经大学计算机信息学院	46	63	4.0	6.0
2	王继红	贵州大学大数据与信息工程学院	24	46	3.0	5.0
3	刘健	贵州大学大数据与信息工程学院	21	123	8.0	10.0
4	郭祥	贵州大学大数据与信息工程学院	25	32	3.0	4.0
5	王一	贵州大学大数据与信息工程学院	17	17	2.0	3.0
6	赵振	贵州大学大数据与信息工程学院	5	9	2.0	2.0
7	周海月	贵州大学大数据与信息工程学院	3	5	2.0	2.0
8	郎效智	贵州大学大数据与信息工程学院	1	1	1.0	1.0