大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律

• 作者: 刘斌 孙钱 张进成 王新强 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 大失配 强极化 生长动力学 载流子调控
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 特邀报告
• 页码范围: 1305-1309
• 页数: 5页
• 分类号: O469|O552.6
• 字数: 2545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163711.1305

摘要

高质量氮化镓( GaN)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是GaN基材料及其量子结构的固有特点，对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值，受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究，旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈，突破高Al和高In氮化物材料制备难题，实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构，制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件，实现颠覆性的技术创新和应用，带动电子材料产业转型升级。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘斌	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	39	97	6.0	8.0
2	张进成	西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室	19	65	5.0	7.0
3	王新强	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	9	12	2.0	3.0
4	孙钱	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	黎大兵	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	1	1.0	1.0