盐酸雷尼替丁分子印迹膜电极的制备与应用研究

• 作者: 修荣 申志国 陈鹏瑀 黄碧霞
• 来源期刊: 河北医科大学学报
• 学科: 医学
• 关键词: 雷尼替丁 分子印迹 循环伏安 电极
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 306-308,312
• 页数: 4页
• 分类号: R975.6
• 字数: 3151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-3205.2016.03.015

摘要

目的 建立一种测定盐酸雷尼替丁药物含量的新方法.方法 以盐酸雷尼替丁为模板分子,邻苯二胺和甲基丙烯酸为功能单体,采用循环伏安电聚合法,制备盐酸雷尼替丁分子印迹膜电极,采用差分脉冲伏安法考察峰电流与盐酸雷尼替丁溶液浓度的关系.结果 盐酸雷尼替丁在3.010×10-7～6.172×10-6 mol/L浓度范围内,峰电流与其浓度呈良好的线性关系,线性方程为Ip(μA)=-2.423c+0.000 02(r=0.9951).结论 该电极具有良好的选择性、重现性、稳定性、准确性,可用于盐酸雷尼替丁药物含量的实际测定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	修荣	河北医科大学药学院物理化学教研室	31	131	7.0	8.0
2	陈鹏瑀	河北医科大学药学院物理化学教研室	3	5	1.0	2.0
3	申志国	河北医科大学药学院物理化学教研室	1	0	0.0	0.0
7	黄碧霞	河北医科大学药学院物理化学教研室	2	1	1.0	1.0