用于激光阵列发生器的非n×n型Danmmann光栅研制

• 作者: 冷雁冰 吴博琦 孙艳军 王丽 董连和
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非n×n型点阵 激光阵列发生器 Dammann光栅 反应离子刻蚀技术
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 1431-1436
• 分类号: TN253
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.12.15

摘要

为实现激光阵列发生器点阵列任意排布,研制了一种非n×n型达曼(Danmmann)光栅.本文以严格耦合波分析理论为基础,设计了一种衍射效率较高的4台阶非n×n型Dannann光栅,采用快速傅里叶变换算法进行了优化.运用Virtu-alLab仿真软件进行模拟,形成两行强度均匀的点光斑,排布方式为第一行为4个,第二行为3个,总衍射效率为93.30％,不均匀性小于5％.通过电子束光刻直写进行变剂量曝光制作抗蚀剂掩模,并采用反应离子刻蚀技术以石英为基底制作出了非n×n型Danmmann光栅.通过扫描电子显微镜测得了光栅面型,并分析了光栅表面粗糙度,根据反应离子刻蚀过程中射频功率、工作气压及气体流量3种工艺参数对表面粗糙度的影响程度,确定光栅了制备工艺的最优参数组合.结果表明:当射频功率为110W,工作气压为1×10-3 Pa,气体流量为35mL/min时,光栅的表面粗糙度值最佳,值为23.45nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董连和	长春理工大学光电工程学院	45	151	7.0	11.0
2	孙艳军	长春理工大学光电工程学院	36	106	6.0	9.0
3	冷雁冰	长春理工大学光电工程学院	34	117	6.0	10.0
4	王丽	长春理工大学光电工程学院	32	34	3.0	4.0
5	吴博琦	长春理工大学光电工程学院	7	9	1.0	3.0