固体透氧膜(SOM)法由SiO2电解制备多晶硅

• 作者: 李尚书 程红伟 耿淑华 赖冠全 邹星礼 郑凯 鲁雄刚
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: SOM法 熔盐 电解 Si
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 2177-2182
• 页数: 6页
• 分类号: TG146.4
• 字数: 2970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.035

摘要

Si对太阳能以及光伏行业的发展具有重要战略意义,因此被广泛地研究和应用.利用固体透氧膜(solid oxide oxygen ion-conducting membrane,简称SOM)法在CaCl2熔盐中对SiO2直接电解制备多晶硅进行了深入研究.结果表明,不同压片压力及烧结温度会对阴极片电解过程产生影响.0.3g SiO2粉末在2MPa下压制成型并于900℃下烧结4h后,在1000℃施加4.0 V进行熔盐电解2h能得到纯多晶硅,电流效率为82.3％.电解反应过程包含SiO2→Si和SiO2 →CaSiO3→Si两条反应路径.