片上集成光电微能源工艺兼容性及器件特性研究

• 作者: 何永泰 刘晋豪 李雷 肖丽仙
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电微能源 片上集成 工艺方案 兼容性 器件特性
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 834-840
• 页数: 7页
• 分类号: TN453
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2016.06.008

摘要

根据暂存式光电微能源系统组成器件的制备工艺特点，提出了基于SOI晶片的光电微能源片上集成方案。主要工艺包括绝缘沟槽刻蚀、离子注入、氧化等，具有较好的制备工艺兼容性。另外，根据片上集成方案，对器件特性进行了研究。结果表明，光伏电池的转换效率为9.7%，NMOS管阈值电压、漏极反向击穿电压VT分别为0.98 V和31.97 V，NPN三极管的电流放大倍数、集电极-发射极之间击穿电压约为83 V和12 V。各器件特性满足系统工作要求，集成方案具有较好的可行性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何永泰	楚雄师范学院物理与电子科学学院	38	163	7.0	11.0
2	肖丽仙	楚雄师范学院物理与电子科学学院	16	24	3.0	4.0
3	刘晋豪	楚雄师范学院物理与电子科学学院	12	25	3.0	4.0
4	李雷	楚雄师范学院物理与电子科学学院	24	72	4.0	7.0