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摘要:
对硅铸锭过程中的长晶阶段进行模拟和实验对比分析,研究二氧化硅种晶熔化界面形状和晶体生长界面形状。采用光致发光仪(PL)研究硅片的杂质和缺陷[1-2]分布,用微波光电导仪(μ-PCD)研究了铸锭多晶硅锭少子寿命[3-4]的分布图。当形核物为SiO2,SiO2的尺寸为20μm,形核温度为1430℃时制备的硅片表面相对完美,结构致密。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 形核物对铸锭多晶硅晶体生长的影响
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 铸锭 形核 二氧化硅 少子寿命
年,卷(期) 2016,(5) 所属期刊栏目 固态电子器件及材料
研究方向 页码范围 1037-1042
页数 6页 分类号 TQ174.75
字数 4159字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.05.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐冬梅 徐州工业职业技术学院材料工程学院 84 349 11.0 13.0
2 焦富强 徐州工业职业技术学院材料工程学院 18 48 4.0 6.0
3 邓敏 徐州工业职业技术学院材料工程学院 6 16 2.0 4.0
4 权祥 徐州工业职业技术学院材料工程学院 8 18 2.0 4.0
5 秦涛 徐州工业职业技术学院材料工程学院 1 4 1.0 1.0
6 朱常任 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司研发部 2 16 2.0 2.0
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铸锭
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期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
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27643
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