基于QD-SOA光判决门的研究

• 作者: 杨文华 王兆翔 王海龙 韦志禄 龚谦
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点半导体光放大器(QD-SOA) 光开关 光判决门 马赫-曾德尔干涉仪 对比度(CR)
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 信息处理与传输
• 页码范围: 1122-1128
• 页数: 7页
• 分类号: TN929.1
• 字数: 3176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2016.09.003

摘要

为了改善全光3R再生-光判决门的性能，利用三能级量子点半导体光放大器（Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier，QD-SOA）模型研究了QD-SOA有源区载流子恢复特性，并基于马赫-曾德尔干涉仪效应（MZI）的光判决门结构，仿真分析了注入电流、泵浦光功率和光场限制因子等对开关对比度的影响。结合QD-SOA的载流子恢复特性，在有源区注入补充电流，提高电子占有率，补充载流子消耗，为提高光判决门开关工作速度提供了有利条件。基于MZI效应光判决门分析了对比度（CR）对开关性能的影响，模拟仿真结果显示：在特定光场限制因子范围内，适当增加注入电流，可以提高开关对比度，优化光判决门开关窗口特性，从而得到更加理想的全光开关设计参数，对超高速信息处理、全光网络光判决技术等未来光网络发展具有重要的指导意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚谦	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	6	13	3.0	3.0