不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析

• 作者: 曹海城 李晋闽 王军喜 符佳佳 赵丽霞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中功率LED 封装材料 老化行为
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1230-1236
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 1644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163710.1230

摘要

针对中功率蓝光及相应的白光LED器件进行加速老化实验,并具体分析了器件中硅胶和绿红混合荧光粉等封装材料对老化行为的影响和失效机理.在测试器件的光电老化行为之后,利用反射光谱和飞行时间二次离子质谱对失效器件进行了结构分析.结果表明,温度和湿度对蓝光和白光器件老化行为具有不同的影响.对于中功率蓝光LED而言,其光衰的主要原因是由于S、Cl等元素的引入及氧化等因素引起的黄化导致了透明硅胶反射率的下降.而对于绿红混合荧光粉组成的中功率白光LED来说,其光衰和色漂问题主要归结于在高温特别是高湿环境下工作,器件中荧光粉和硅胶等封装材料发生了一些化学反应,使荧光粉发生分解,并引起了荧光转换效率的下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	75	652	13.0	23.0
2	王军喜	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	32	155	8.0	10.0
3	赵丽霞	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	6	26	3.0	5.0
4	符佳佳	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	1	4	1.0	1.0
5	曹海城	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	1	4	1.0	1.0