小尺寸器件的金属栅平坦化新技术

• 作者: 张严波 张月 张永奎 张青竹 朱慧珑 殷华湘 秦长亮 赵治国 赵超
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高k金属栅 反应离子刻蚀 介质再沉积 化学机械平坦化
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 1030-1033
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.09.11

摘要

随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用，该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时，如何保证高 k 金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化，保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀＋介质再沉积＋化学机械平坦化的技术，能够有效对金属栅极进行平坦化，且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的“金属过蚀”现象。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵超	中国科学院微电子研究所	35	208	9.0	13.0
2	张严波	中国科学院微电子研究所	3	3	1.0	1.0
3	朱慧珑	中国科学院微电子研究所	6	4	1.0	2.0
4	张月	中国科学院微电子研究所	6	13	2.0	3.0
5	殷华湘	中国科学院微电子研究所	11	23	3.0	4.0
6	张青竹	中国科学院微电子研究所	4	8	1.0	2.0
7	赵治国	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
8	张永奎	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
9	秦长亮	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0