高压静电场对大肠杆菌的生物学效应

• 作者: 于洪剑 李瑞云 杨晓炜 王新雨 白爱枝
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 高压静电场 大肠杆菌 存活率 突变率 电镜 生物学效应
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 生物电磁
• 页码范围: 2534-2539
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20160812012

摘要

为了研究高压静电场(HWF)对大肠杆菌(E.coli)的损伤效应,采用不同处理条件的HVEF处理E.coli,考察了菌体的存活率、突变率及形态损伤.结果表明:在不同处理条件下,E.coli存活率和突变率均呈振荡型变化,且2者呈负相关,在4 kV/cm×2 min的处理条件下存活率最低,仅为(7.77±1.73)％,突变率达最高,为(13.73± 1.99)× 10-6,说明HVEF对菌体的存活具有抑制和激活的双重作用,在抑制作用下,细胞受到的损伤较大且相应的突变率也较高;通过电镜观察,发现HVEF作用下E.coli细胞膜破损并伴随有细胞内容物的溢出,说明高压静电场可有效破坏细胞的膜结构;通过测量HVEF在同一场强不同处理时间作用下菌液的核酸和蛋白质含量变化,发现上述2个参数在电场作用下也呈振荡型变化,说明适当的电场处理条件可调控菌体细胞膜的通透性,且在适当的电场处理条件下E.coli自身可能具有损伤修复功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白爱枝		14	97	6.0	9.0
2	王新雨		2	5	1.0	2.0
3	于洪剑		3	3	1.0	1.0
4	李瑞云		2	3	1.0	1.0
5	杨晓炜		2	3	1.0	1.0