插拔对贮存电连接器性能退化的影响研究

• 作者: 孔祥泽 朱志鹏 钱萍 陈文华 高亮
• 来源期刊: 机电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 贮存 电连接器 插拔 加速退化 接触电阻
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 本刊特约专稿
• 页码范围: 507-512
• 页数: 6页
• 分类号: TM503+.5|TH117.1|TG146.3+1
• 字数: 4602字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4551.2016.05.001

摘要

针对目前电连接器的贮存寿命评估中尚未明确计入插拔的效应,因而不能准确地指导实际应用的现状,以Y11P-1419型电连接器为研究对象,深入分析了电连接器贮存期间的氧化腐蚀和定期的测试插拔所造成的接触失效,并设计了实验室模拟实际贮存的加速退化对照试验,进而通过对试验现象的观察、试验数据的统计分析和试验样品插孔微观表面形貌的扫描电镜(SEM)与能谱(EDS)分析等方面的研究,明确了贮存电连接器计入插拔的效应:因定期插拔造成了插拔后的阻值跳变,且因插拔而逐渐刮擦磨损镀金层和氧化膜、裸露基体铜,加速了后续贮存期间接触区域的氧化腐蚀.研究结果表明,插拔明显地加快了贮存电连接器性能退化的进程.因此,为了提高电连接器贮存寿命评估的准确度,必须计入插拔因素的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈文华	浙江理工大学浙江省机电产品可靠性技术研究重点实验室	102	785	14.0	23.0
2	朱志鹏	浙江理工大学浙江省机电产品可靠性技术研究重点实验室	2	6	2.0	2.0
3	高亮	四川农业大学机电工程学院	3	7	2.0	2.0
4	孔祥泽	浙江理工大学浙江省机电产品可靠性技术研究重点实验室	2	6	2.0	2.0
5	钱萍	浙江理工大学浙江省机电产品可靠性技术研究重点实验室	18	207	8.0	14.0