硅通孔电镀填充铜的蠕变性能

• 作者: 宇慧平 安彤 武伟 秦飞 陈沛
• 来源期刊: 北京工业大学学报
• 学科: 交通运输
• 关键词: 硅通孔 TSV-Cu 纳米压痕 蠕变速率敏感指数
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 机械工程
• 页码范围: 837-842
• 页数: 6页
• 分类号: U461|TP308
• 字数: 4368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11936/bjutxb2015030040

摘要

为了研究TSV-Cu的蠕变性能，首先利用典型的TSV工艺制作了电镀Cu的TSV试样，然后利用纳米压痕法对TSV-Cu进行了压痕蠕变测试.采用恒加载速率/载荷与恒载荷法相结合的方式，对TSV-Cu的蠕变行为进行了研究，测量了TSV-Cu在不同压入应变速率和最大压入深度条件下的蠕变行为.通过对保载阶段的数据进行处理，得到了不同加载条件下的蠕变速率敏感指数m.结果表明：压入应变速率和最大压入深度等加载条件对m的影响不很明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宇慧平	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	38	239	9.0	13.0
2	秦飞	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	43	262	10.0	14.0
3	安彤	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	14	57	4.0	7.0
4	陈沛	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	4	5	1.0	1.0
5	武伟	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	2	2	1.0	1.0