基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展

• 作者: 宋会会 朱彦旭 李赉龙 王岳华 石栋
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结 2DEG GaN基HEMT传感器 栅结构 光探测器
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: ?器件制备及器件物理?
• 页码范围: 1545-1553
• 页数: 9页
• 分类号: TN366|TN386.3|TP212
• 字数: 4941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163712.1545

摘要

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率，这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器，对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结；而后，着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度，阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展，其中，从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器；最后，探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱彦旭	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	21	79	6.0	8.0
2	王岳华	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	6	1.0	2.0
3	宋会会	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	6	7	1.0	2.0
4	李赉龙	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	6	1.0	2.0
5	石栋	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	7	1.0	2.0