高通量堆NTD硅系统活化剂量计算

• 作者: 刘鹏 周春林 李子彦 蔡文超 邹德光 雷鸣
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高通量堆 剂量当量 NTD硅 ORIGEN
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 页码范围: 953-957
• 页数: 5页
• 分类号: TL72
• 字数: 2741字
• 语种: 中文

摘要

根据单晶硅及靶桶材料成分、测量的辐照孔道中子通量谱与辐照时间,采用点燃耗程序ORIGEN与蒙特卡罗程序MCNP耦合计算高通量堆中子嬗变掺杂(NTD)硅辐照系统活化后的外照射剂量当量率及各种活化产物放射性核素衰减变化情况,同时对各种活化核素剂量率贡献及相应衰减时间进行了分析.通过计算结果与堆厅γ电离室剂量率监测对比验证及堆厅屏蔽层厚度的保守估算,表明目前NTD硅系统转运过程屏蔽设计满足辐射防护要求,并提出有益建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李子彦		12	3	1.0	1.0
2	邹德光		6	2	1.0	1.0
3	蔡文超		3	1	1.0	1.0
4	雷鸣		8	1	1.0	1.0
5	周春林		9	2	1.0	1.0
6	刘鹏		7	17	1.0	4.0