GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性

• 作者: 刘斌 庄喆 张荣 智婷 谢自力 郑有炓 陈鹏 陶涛
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/GaN 发光二极管 纳米柱 纳米压印
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: ?器件制备及器件物理?
• 页码范围: 1538-1544
• 页数: 7页
• 分类号: TP394.1|TN383+.1
• 字数: 2850字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163712.1538

摘要

为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应，增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率，采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构，结合常规LED器件微加工技术获得了InGaN/GaN基蓝光与绿光纳米阵列LED器件并对其进行了表征分析。结果表明：纳米柱阵列LED器件具有均匀的发光和稳定的光电性能。纳米结构不仅有效缓解了量子阱中的应力积累(弛豫度~70％)，提高了器件的辐射复合几率和出光效率，同时结合纳米柱侧壁的化学钝化处理进一步降低了器件有源区的缺陷密度，显著降低了LED器件的漏电流(~10-7)，最终提高了器件的发光效率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘斌	南京大学电子科学与工程学院	39	97	6.0	8.0
2	陈鹏	南京大学电子科学与工程学院	57	921	13.0	30.0
3	张荣	南京大学电子科学与工程学院	134	576	13.0	17.0
4	陶涛	南京大学电子科学与工程学院	5	10	2.0	3.0
5	谢自力	南京大学电子科学与工程学院	19	44	5.0	6.0
6	智婷	南京大学电子科学与工程学院	2	6	1.0	2.0
7	庄喆	南京大学电子科学与工程学院	2	6	1.0	2.0
8	郑有炓		1	6	1.0	1.0