气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

• 作者: 吴晓燕 岳丽 李士玲 李耀耀 潘文武 王凯 王庶民 王海龙 韦志禄 龚谦
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InPBi 深中心 深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: ?器件制备及器件物理?
• 页码范围: 1532-1537
• 页数: 6页
• 分类号: O474
• 字数: 3025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163712.1532

摘要

利用深能级瞬态谱( DLTS)研究了气源分子束外延( GSMBE)生长的InP1-x Bix 材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1, E1的能级位置为Ec -0.38 eV,俘获截面为1.87×10-15 cm2。在未有意掺杂的InP0.9751 Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1, H1的能级位置为Ev +0.31 eV,俘获截面为2.87×10-17 cm2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。